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IS61LF12832A

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IS61LF12832A
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
ISSI
PBGA(119),
10+
-
原裝現(xiàn)貨優(yōu)勢庫存

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制造商
ISSI
制造商全稱
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述
128K x 32, 128K x 36, 256K x 18 4 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

IS61LF12832A 技術(shù)參數(shù)

IS61LF102436A-7.5TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36M (1Mx36) 7.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61LF102436A-7.5TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36M (1Mx36) 7.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61LF102418B-7.5TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 7.5NS 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（1M x 18）速度:7.5ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20）標準包裝:72 IS61LF102418A-7.5TQ-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb 1Mbx18 7.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61LF102418A-7.5TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M (1Mx18) 7.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR IS61LF12836EC-7.5TQLI IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR IS61LF204818A-7.5TQLI IS61LF204818A-7.5TQLI-TR IS61LF204818B-7.5TQLI IS61LF204818B-7.5TQLI-TR IS61LF204836B-7.5TQLI IS61LF204836B-7.5TQLI-TR IS61LF25618A-7.5TQLI IS61LF25618A-7.5TQLI-TR IS61LF25618EC-7.5TQLI IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR IS61LF25636A-7.5TQI IS61LF25636A-7.5TQI-TR IS61LF25636A-7.5TQLI IS61LF25636A-7.5TQLI-TR IS61LF25636B-7.5TQLI

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