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IS61DDB24M18-250M3L

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制造商
ISSI
制造商全稱
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述
72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs

IS61DDB24M18-250M3L 技術參數

IS61DDB22M36A-300M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 72Mb 2Mx36 165ball RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB22M36A-300B4LI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 72Mb, DDR II CIO Sync 靜態隨機存取存儲器, 2M x 36 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB22M18A-250M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36Mb 2Mx18 165ball RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB22M18A-250B4LI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36Mb, DDR II CIO Sync 靜態隨機存取存儲器, 2M x 18 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB22M18-250M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36M (2Mx18) 250ns DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB42M18-250M3 IS61DDB42M18-250M3L IS61DDB42M18A-250M3L IS61DDB42M18C-250M3 IS61DDB42M18C-250M3L IS61DDB42M36A-300M3L IS61DDB44M18A-300M3L IS61DDB451236A-250M3L IS61DDP2B21M18A-400M3L IS61DDP2B21M36A-400M3L IS61DDP2B22M18A-400M3L IS61DDP2B22M36A-400M3L IS61DDP2B24M18A-400M3L IS61DDP2B251236A-400M3L IS61DDP2B41M18A-400M3L IS61DDP2B41M36A-400M3L IS61DDP2B42M18A-400M3L IS61DDP2B42M36A-400M3L

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