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IS61DDB21M36A-250B4L

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IS61DDB21M36A-250B4L 技術參數

IS61DDB21M36-275M3 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36M (1Mx36) 275MHz DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB21M36-250M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36M (1Mx36) 250MHz DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB21M36-250M3 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36Mb 1Mbx36 DDR II Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB21M18A-300M3L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18Mb 1Mx18 165ball RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB21M18A-300B4L 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18Mb, DDR II CIO Sync靜態隨機存取存儲器,1Mx18 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61DDB22M18C-250M3 IS61DDB22M18C-250M3L IS61DDB22M36A-300B4LI IS61DDB22M36A-300M3L IS61DDB24M18A-250M3L IS61DDB24M18A-300B4LI IS61DDB24M18A-300M3L IS61DDB251236A-250M3L IS61DDB41M18A-250M3L IS61DDB41M36-250M3 IS61DDB41M36A-300M3LI IS61DDB41M36C-250M3 IS61DDB41M36C-300M3LI IS61DDB42M18-250M3 IS61DDB42M18-250M3L IS61DDB42M18A-250M3L IS61DDB42M18C-250M3 IS61DDB42M18C-250M3L

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