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IRFR9111

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IRFR9111
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
IR
SOT-252
18+
-
長期供應(yīng)

IRFR9111
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
IR
TO-252
15+
-
百分百原裝假一罰十

IRFR9111
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會大廈A座19樓19G
20000
IR
D-pak
08+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

IRFR9111
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
488000
IR
TO-252
2025+
-
一級代理商原裝現(xiàn)貨

IRFR9111
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
NULL
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

IRFR9111
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
DPAK/TO-252
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

IRFR9111
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
IR
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252

IRFR9111 技術(shù)參數(shù)

IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:128nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:158nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRFR9120TRL IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRPBF IRFR9120TRR IRFR9210 IRFR9210PBF IRFR9210TR IRFR9210TRL IRFR9210TRLPBF IRFR9210TRPBF IRFR9210TRR IRFR9214 IRFR9214PBF IRFR9214TR IRFR9214TRL IRFR9214TRLPBF IRFR9214TRPBF IRFR9214TRR

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配單專線：0755-84864007

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