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IR342D2PBR

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IR342D2PBR 技術參數

IR3411STRPBF 功能描述:功率驅動器IC RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IR3411SPBF 功能描述:功率驅動器IC 30V 8A RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IR333C/H0/L10 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 11mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:11mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:40° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向標準包裝:500 IR333C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向標準包裝:500 IR333-A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:7.8mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向標準包裝:500 IR3476MTRPBF IR3477MTR1PBF IR3477MTRPBF IR3500AMTRPBF IR3500MTRPBF IR3500VMTRPBF IR3502AMTRPBF IR3502BMTRPBF IR3502MTRPBF IR3503MTRPBF IR3504MTRPBF IR3505MTRPBF IR3505ZMTRPBF IR3506MTRPBF IR3507MTRPBF IR3507ZMTRPBF IR3508MTRPBF IR3508ZMTRPBF