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IDT6116SA55TB

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IDT6116SA55TB
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
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地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
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3000
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IDT6116SA55TB
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
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IDT6116SA55TB 技術參數

IDT6116SA45TPI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA45TPGI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA45TPG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 IDT6116SA45TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA45SOI8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ IDT70824L35PF IDT70824L35PF8 IDT70824S20G IDT70824S20PF IDT70824S20PF8 IDT70824S25G IDT70824S25PF IDT70824S25PF8 IDT70824S35G IDT70824S35PF IDT70824S35PF8 IDT70825L20G IDT70825L20PF IDT70825L20PF8 IDT70825L20PFI IDT70825L20PFI8 IDT70825L25G IDT70825L25PF