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HIP6601BZB

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HIP6601BZB
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：何芝
電話(huà)：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
2510
INTERSIL
SOP8
201234+
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原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存！400-800-030...

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HIP6601BZB 技術(shù)參數(shù)

HIP6601BECBZ-T 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZA-T 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZA 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECBZ 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC SYNCHRONUSCTIFIED BUCK MSFT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP6601BECB-T 功能描述:IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:否類(lèi)別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類(lèi)型:非反相延遲時(shí)間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動(dòng)）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線(xiàn)+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP6602BCRZ-T HIP6603BCB HIP6603BCB-T HIP6603BCBZ HIP6603BCBZ-T HIP6603BECB HIP6603BECB-T HIP6603BECBZ HIP6603BECBZ-T HIP6604BCR HIP6604BCR-T HIP6604BCRZ HIP6604BCRZ-T HIP9011AB HIP9011ABT HIP9011ABZ HIP9011ABZT HIP9011EVAL1Z

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