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H11A2_Q

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功能描述
晶體管輸出光電耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
輸入類型
DC
最大集電極/發射極電壓
70 V
最大集電極/發射極飽和電壓
0.4 V
絕緣電壓
5300 Vrms
電流傳遞比
100 % to 200 %
最大正向二極管電壓
1.65 V
最大輸入二極管電流
60 mA
最大集電極電流
100 mA
最大功率耗散
100 mW
最大工作溫度
+ 110 C
最小工作溫度
- 55 C
封裝 / 箱體
DIP-4
封裝
Bulk

H11A2_Q 技術參數

H11A2 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 電流傳輸比（最小值）:20% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:2.8μs，4.5μs 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管電壓 - 輸出（最大值）:30V 電流 - 輸出/通道:150mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 電流 - DC 正向（If）:60mA Vce 飽和值（最大值）:400mV 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:6-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:6-DIP 標準包裝:65 H11A1S 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 電流傳輸比（最小值）:50% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:2.8μs，4.5μs 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管電壓 - 輸出（最大值）:30V 電流 - 輸出/通道:150mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 電流 - DC 正向（If）:60mA Vce 飽和值（最大值）:400mV 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，鷗翼型供應商器件封裝:6-SMD 標準包裝:65 H11A1 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 電流傳輸比（最小值）:50% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:2.8μs，4.5μs 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管電壓 - 輸出（最大值）:30V 電流 - 輸出/通道:150mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 電流 - DC 正向（If）:60mA Vce 飽和值（最大值）:400mV 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:6-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:6-DIP 標準包裝:65 H1199NL 功能描述:XFRMR MAGNETIC 1PORT 1:1 10/100 制造商:pulse electronics corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效變壓器類型:隔離和數據接口（封裝式）電感:- 匝數比 - 初級:次級:1：1 發射器，1：1 接收器 E.T.:- 安裝類型:表面貼裝大小/尺寸:12.70mm 長 x 7.11mm 寬高度 - 安裝（最大值）:6.22mm 標準包裝:40 H1199FNLT 功能描述:PULSE XFMR 1CT:1CT TX 1CT:1CT RX 制造商:pulse electronics network 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 H11A2M-V H11A2S H11A2S(TA) H11A2S(TA)-V H11A2S(TB) H11A2S(TB)-V H11A2S1(TA) H11A2S1(TA)-V H11A2S1(TB) H11A2S1(TB)-V H11A2SD H11A2SM H11A2SR2M H11A2SR2VM H11A2S-TA1 H11A2SVM H11A2TM H11A2TVM