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GP2S13

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GP2S13
深圳市藍山航業電子科技有限公司
深圳市藍山航業電子科技有限公司
聯系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
sharp
22+
-
行業低價，代理渠道

GP2S13
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
sharp
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07/08+
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假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共5條
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您是不是要找： GP2S24 GP2S24ABJ00F GP2S24BCJ00F GP2S24BJ000F GP2S24CJ000F GP2S24J0000F GP2S27T GP2S27T2J00F GP2S27T3J00F

GP2S13 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

GP2S13 技術參數

GP2M020A060N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:330 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3184pF @ 25V 功率 - 最大值:347W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M020A050H 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO220 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 9A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2880pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1 GP2M013A050F 功能描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:480 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1798pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2M012A080NG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:79nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3370pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3PN 標準包裝:1 GP2M012A060F 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1890pF @ 25V 功率 - 最大值:53.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP2S27T6J00F GP2S27TJ000F GP2S28 GP2S40 GP2S40J0000F GP2S40JJ000F GP2S60 GP2S60A GP2S60B GP2S700HCP GP2W0004XP GP2W0004XP0F GP2W0004YP GP2W0004YP0F GP2W0110YPS GP2W0110YPSF GP2W0112YP GP2W0112YP0F