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GII

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GII 技術參數

GI818 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:750ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AC，DO-15，軸向供應商器件封裝:DO-204AC（DO-15）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:4,000 GHXS060A120S-D4 功能描述:DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS060A120S-D3 功能描述:MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS050A060S-D4 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS050A060S-D3 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GJ026-6P6C12 GJ11M GJ12M GJ6120UH GJ6144UH GJ6168UH GJ6192UH GJ6216UH GJ6240UH GJ6264UH GJ6288UH GJ672UH GJ696UH GJ821BR71H105KA12L GJ831CR61E106KE83L GJ831CR71H475KA12L GJ832ER7YA106KA12L GJM0225C1C120JB01L