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GI60T03

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制造商
GTM
制造商全稱
GTM
功能描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

GI60T03 技術參數

GHXS060A120S-D4 功能描述:DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS060A120S-D3 功能描述:MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:60A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 60A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS050A060S-D4 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS050A060S-D3 功能描述:DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 600V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GHXS045A120S-D4 功能描述:DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:45A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 45A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:300μA @ 1200V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 GI756-E3/73 GI758-E3/54 GI810-E3/54 GI810-E3/73 GI810HE3/54 GI811-E3/54 GI811-E3/73 GI811HE3/54 GI812-E3/54 GI812-E3/73 GI812HE3/54 GI814-E3/54 GI814-E3/73 GI814HE3/54 GI816-E3/54 GI816-E3/73 GI816HE3/54 GI817-E3/54