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EPC2LC2ONUBAF48

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EPC2LC2ONUBAF48 技術參數

EPC2LC20N 功能描述:FPGA-配置存儲器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存儲類型:Flash 存儲容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC2LC20 功能描述:FPGA-配置存儲器 IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz RoHS:否制造商:Altera Corporation 存儲類型:Flash 存儲容量:1.6 Mbit 工作頻率:10 MHz 電源電壓-最大:5.25 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:50 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PLCC-20 EPC2818 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100 EPC8QI100N EPC9001