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EC58D10-P6TR-1024

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EC58D10-P6TR-1024 技術(shù)參數(shù)

EC52/24/14-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態(tài):在售內(nèi)核類(lèi)型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無(wú)涂層供應(yīng)商器件封裝:EC 52 x 24 x 14 高度:24.20mm 長(zhǎng)度:52.20mm 寬度:13.40mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態(tài):有效配件類(lèi)型:載體，線(xiàn)纜和導(dǎo)線(xiàn)標(biāo)記器配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:K-Type? 線(xiàn)纜標(biāo)記材料:PVC 特性:7 字符長(zhǎng) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態(tài):有效配件類(lèi)型:載體，線(xiàn)纜和導(dǎo)線(xiàn)標(biāo)記器配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:K-Type? 線(xiàn)纜標(biāo)記材料:PVC 特性:12 字符長(zhǎng) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:224 毫歐 @ 600mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:0503（1308 公制）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 100mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFDFN 供應(yīng)商器件封裝:4-ECSP1008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC5927-000 EC5928-000 EC5975-000 EC5976-000 EC5977-000 EC5978-000 EC5979-000 EC5980-000 EC5981-000 EC5982-000 EC5983-000 EC5984-000 EC5986-000 EC5987-000 EC5990-000 EC5992-000 EC5996-000 EC5997-000

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