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EC580406-E-1-WF

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EC580406-E-1-WF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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EC580406-E-1-WF 技術(shù)參數(shù)

EC52/24/14-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態(tài):在售內(nèi)核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層供應(yīng)商器件封裝:EC 52 x 24 x 14 高度:24.20mm 長度:52.20mm 寬度:13.40mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態(tài):有效配件類型:載體，線纜和導(dǎo)線標(biāo)記器配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:K-Type? 線纜標(biāo)記材料:PVC 特性:7 字符長標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態(tài):有效配件類型:載體，線纜和導(dǎo)線標(biāo)記器配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:K-Type? 線纜標(biāo)記材料:PVC 特性:12 字符長標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:224 毫歐 @ 600mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:0503（1308 公制）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 100mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFDFN 供應(yīng)商器件封裝:4-ECSP1008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC5840-000 EC5856-000 EC5875-000 EC5876-000 EC5877-000 EC5878-000 EC5879-000 EC5880-000 EC5881-000 EC5882-000 EC5883-000 EC5884-000 EC5886-000 EC5912-000 EC5919-000 EC5920-000 EC5921-000 EC5922-000

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