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DQ200A

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DQ200A 技術參數

DQ1280-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 13.5A 16 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:13.5A 電流 - 飽和值:13.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:16 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ1280-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 790mA 980 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:790mA 電流 - 飽和值:790mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:980 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ1280-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.5A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ1280-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 550mA 1.82 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:550mA 電流 - 飽和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.82 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ1280-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 220 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:220 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.315"（8.00mm）標準包裝:1 DQ2660-7R DQ2660-9R DQ2660-9RG DQ6530-100M DQ6530-101M DQ6530-120M DQ6530-121M DQ6530-150M DQ6530-151M DQ6530-180M DQ6530-181M DQ6530-220M DQ6530-221M DQ6530-270M DQ6530-271M DQ6530-330M DQ6530-331M DQ6530-390M