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DMC566000R

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

DMC566000R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品價(jià)格極優(yōu) 電話010-62104...

DMC566000R
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
15000
PANASONIC
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共8條
1

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功能描述
開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶體管極性
NPN/PNP
典型輸入電阻器
典型電阻器比率
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
直流集電極/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作頻率
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
集電極連續(xù)電流
150 mA
峰值直流集電極電流
功率耗散
200 mW
最大工作溫度
封裝
Reel

DMC566000R 技術(shù)參數(shù)

DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件狀態(tài):過(guò)期字符數(shù):80 顯示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 點(diǎn) 顯示類型:STN - 超扭轉(zhuǎn)向列顯示模式:可傳導(dǎo)的字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可視范圍:152.50mm 長(zhǎng) x 16.50mm 寬背光:LED - 黃/綠電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 點(diǎn)尺寸:- 接口:并聯(lián) 工作溫度:0°C ~ 50°C 文字顏色:黃背景顏色:綠標(biāo)準(zhǔn)包裝:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.6A，6.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:25V，12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA，3.9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-26 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:25V，30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA，3.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-26 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC904010R DMC904F00R DMC961010R DMC961020R DMC961030R DMC961040R DMC9610M0R DMC964010R DMC964020R DMC964030R DMC964040R DMC964050R DMC964060R DMC964070R DMC9640N0R DMC-M 20-22 AN DMC-M 20-22 ANE DMC-M 20-22 PN

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