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DDTC114GE-7

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DDTC114GE-7-F
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Diodes Inc
原裝！
07＋
-
假一罰十，百分百原裝正品

DDTC114GE-7-F
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
DIODES/美臺
SOT523
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

DDTC114GE-7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品價格極優電話010-62104...

DDTC114GE-7
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
14060
DIODES IN
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現貨

DDTC114GE-7-F
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Diodes
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1/1頁 40條/頁共19條
1

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功能描述
開關晶體管 - 偏壓電阻器 150MW 10KW
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶體管極性
NPN/PNP
典型輸入電阻器
典型電阻器比率
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
直流集電極/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作頻率
集電極—發射極最大電壓 VCEO
50 V
集電極連續電流
150 mA
峰值直流集電極電流
功率耗散
200 mW
最大工作溫度
封裝
Reel

DDTC114GE-7 技術參數

DDTC113ZE-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:1k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:33 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:3,000 DDTC113TUA-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:1k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 DDTC113TCA-7 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:1k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:250MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 DDTB142TC-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:470 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 DDTB142JU-7 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:470 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:10k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:56 @ 50mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 DDTC114TUA-7 DDTC114TUA-7-F DDTC114WCA-7 DDTC114WCA-7-F DDTC114WE-7 DDTC114WE-7-F DDTC114WKA-7-F DDTC114WUA-7 DDTC114WUA-7-F DDTC114YCA-7 DDTC114YCA-7-F DDTC114YE-7 DDTC114YE-7-F DDTC114YKA-7-F DDTC114YLP-7 DDTC114YUA-7 DDTC114YUA-7-F DDTC115ECA-7