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CY15G0101DXB-BBC

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CY15G0101DXB-BBC 技術參數

CY15FRAMKIT-001 功能描述:FM24W256, FM25W256 - Memory, FRAM Evaluation Board 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 零件狀態:有效主要用途:存儲器，FRAM 嵌入式:- 使用的 IC/零件:FM24W256，FM25W256 主要屬性:- 輔助屬性:I2C 和 SPI 接口所含物品:板標準包裝:1 CY15E064Q-SXE 功能描述:IC FRAM MEM SER 64KBIT 8SOIC 制造商:cypress semiconductor corp 系列:汽車級，AEC-Q100，F-RAM? 包裝:管件零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:FRAM 技術:FRAM（鐵電體 RAM）存儲容量:64Kb （8K x 8）時鐘頻率:16MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 存儲器接口:SPI 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:194 CY15B104Q-SXI 功能描述:F-RAM MEMORY 制造商:cypress semiconductor corp 系列:F-RAM? 包裝:管件零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:FRAM（Ferroelectric RAM）存儲容量:4M（512K x 8）速度:40MHz 接口:SPI 串行電壓 - 電源:2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:188 CY15B104Q-LHXI 功能描述:F-RAM MEMORY 制造商:cypress semiconductor corp 系列:F-RAM? 包裝:管件零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:FRAM（Ferroelectric RAM）存儲容量:4M（512K x 8）速度:40MHz 接口:SPI 串行電壓 - 電源:2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-TDFN（5x6）標準包裝:148 CY15B102Q-SXE 功能描述:IC FRAM 2MBIT 25MHZ 8SOIC 制造商:cypress semiconductor corp 系列:汽車級，AEC-Q100，F-RAM? 包裝:管件零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:FRAM 技術:FRAM（鐵電體 RAM）存儲容量:2Mb （256K x 8）時鐘頻率:25MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 存儲器接口:SPI 電壓 - 電源:2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:188 CY-191B-P-Y CY-191B-P-Z-Y CY-191B-Y CY-191B-Z-Y CY-191VA-P-Y CY-191VA-P-Z-Y CY-191VA-Y CY-191VA-Z-Y CY-191VB-P-Y CY-191VB-P-Z-Y CY-191VB-Y CY-191VB-Z-Y CY-192A-P-Y CY-192A-P-Z-Y CY-192A-Y CY-192A-Z-Y CY-192B-P-Y CY-192B-P-Z-Y