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CPH3345

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CPH3345
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業執照
30000
SANYO
SOT-23
18+
-
專業SMD MOS

CPH3345-TL-E
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
10000
SANYO
SOT-23
15+
-
原裝正品，假一罰十

CPH3345
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
SANYO
SOT-23
08+（ROHS）
-
全新原裝100%正品保證質量

CPH3345
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
SANYO
SOT-23
08+
-
全新原裝100%正品保證質量

CPH3345
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
71000
Sanyo
SOT-23
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CPH3345
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
SANYO
SOT-23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1/1頁 40條/頁共24條
1

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CPH3345 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPH3345 PDF下載

制造商
SANYO
制造商全稱
Sanyo Semicon Device
功能描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

CPH3345 技術參數

CPH3341-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1115pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3340-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 2.5A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1875pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3327-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.6A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:600mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 歐姆 @ 300mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:245pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3324-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.2A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:530 毫歐 @ 600mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:265pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3249-TL-E 功能描述:TRANS NPN 350V 1A CPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3360-TL-H CPH3360-TL-W CPH3362-TL-W CPH3427-TL-E CPH3430-TL-E CPH3442-TL-E CPH3448-TL-H CPH3448-TL-W CPH3455-TL-H CPH3455-TL-W CPH3456-TL-H CPH3456-TL-W CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W