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CMY211-E6327

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CMY211-E6327 技術參數

CMXZ39VTO TR 功能描述:DIODE-ZENER TRIPLE: OPPOSING 制造商:central semiconductor corp 系列:- 零件狀態:在售配置:3 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:350mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:3,000 CMXT3946 TR 功能描述:TRANS NPN/PNP 200MA SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:300MHz，250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:1 CMXT3906 TR 功能描述:TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:2 PNP（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:1 CMXT3904 TR 功能描述:TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:1 CMXT2907A TR 功能描述:TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT26 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:2 PNP（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:1 CMZ27(TE12L,Q,M) CMZ5348B TR13 CMZ5366B TR13 CMZ5915B TR13 CMZ5918B BK CMZ5918B TR13 CMZ5919B BK CMZ5919B TR13 CMZ5920B BK CMZ5920B TR13 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13