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CMG07TOSHIBA

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CMG07TOSHIBA 技術參數

CMG07(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:- 標準包裝:3,000 CMG06(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMG05(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMG03(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 2A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMG02(TE12L,Q,M) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A M-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 2A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 CMG1-1RS5-30669-1 CMG1-1RS5-30669-2 CMG1-1RS5-30669-3 CMG1-1RS5-30669-4 CMG1-1RS5-30669-5 CMG1-1RS5-30669-6 CMG6-1RLSG4-32376-20-V CMG6-1RLSG4-32376-40-V CMGBX6-1RLS4-36143-50-V CMGBX6-1RLS4-70370-15-V CMGBX6-1RS4-35774-50-V CMGF6-1RLS4-34315-40-V CMGH6-1-51-30.0-01-V CMGRT-100 CMGRT-100-C CMGZXF6-1REC4-33900-1-V CMH01(TE12L,Q,M) CMH02A(TE12L,Q,M)