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CJD200CENTRAL

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CJD200CENTRAL 技術參數

CJD200 TR13 功能描述:TRANS NPN 40V 5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:45 @ 2A，1V 功率 - 最大值:1.4W 頻率 - 躍遷:65MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD13003 TR13 功能描述:TRANS NPN 700V 1.5A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 500mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.56W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD127 TR13 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD122 TR13 功能描述:TRANS NPN 100V 8A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD112 TR13 功能描述:TRANS NPN 100V 2A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:25MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 CJD5E88TBL CJD5E88TBU CJD5E88TEI CJD5E88TGBL CJD5E88TGBU CJD5E88TGEI CJD5E88TGGR CJD5E88TGIG CJD5E88TGIW CJD5E88TGOR CJD5E88TGR CJD5E88TGRD CJD5E88TGWH CJD5E88TGYL CJD5E88TOR CJD5E88TRD CJD688TGAW CJD688TGBL