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CDR63BNP-12OMB

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制造商
SUMIDA
制造商全稱
Sumida Corporation
功能描述
CDR63B

CDR63BNP-12OMB 技術(shù)參數(shù)

CDR63BNP-120MC 功能描述:12μH Shielded Inductor 940mA 160 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CDR63B 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:12μH 容差:±20% 額定電流:940mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:160 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:32.2MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 100°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.244" 長 x 0.220" 寬（6.20mm x 5.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.138"（3.50mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 CDR63BNP-100MC 功能描述:10μH Shielded Inductor 1A 140 mOhm Max Nonstandard 制造商:sumida america components inc. 系列:CDR63 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:140 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:35.3MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 100°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.244" 長 x 0.220" 寬（6.20mm x 5.60mm）高度 - 安裝（最大值）:0.138"（3.50mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CDR35BX823BMZSAT 功能描述:0.082μF ±20% 100V 陶瓷電容器 BX 1825（4564 公制）制造商:vishay vitramon 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 CDR35BX823BMZRAT 功能描述:0.082μF ±20% 100V 陶瓷電容器 BX 1825（4564 公制）制造商:vishay vitramon 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 CDR35BX823BMZPAT 功能描述:0.082μF ±20% 100V 陶瓷電容器 BX 1825（4564 公制）制造商:vishay vitramon 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 CDR63NP-220MC CDR6D23MNNP-0R6NC CDR6D23MNNP-100NC CDR6D23MNNP-101NC CDR6D23MNNP-120NC CDR6D23MNNP-150NC CDR6D23MNNP-180NC CDR6D23MNNP-1R0NC CDR6D23MNNP-1R5NC CDR6D23MNNP-220NC CDR6D23MNNP-270NC CDR6D23MNNP-2R0NC CDR6D23MNNP-2R7NC CDR6D23MNNP-330NC CDR6D23MNNP-390NC CDR6D23MNNP-3R3NC CDR6D23MNNP-470NC CDR6D23MNNP-4R2NC

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