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BZX85C3VO

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BZX85C3VO PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX85C3VO 技術參數

BZX85C3V9-TR 功能描述:Zener Diode 3.9V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C3V9TR 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C3V9-TAP 功能描述:Zener Diode 3.9V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C3V9_T50R 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C3V9_T50A 功能描述:Zener Diode 3.9V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.9V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C47 R0G BZX85C47_T50A BZX85C47_T50R BZX85C47-TAP BZX85C47-TR BZX85C4V3 BZX85C4V3 A0G BZX85C4V3 R0G BZX85C4V3_T50A BZX85C4V3_T50R BZX85C4V3-TAP BZX85C4V3-TR BZX85C4V7 BZX85C4V7 A0G BZX85C4V7 R0G BZX85C4V7_T50A BZX85C4V7_T50R BZX85C4V7-TAP