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BZX85C3V6AP

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BZX85C3V6AP 技術參數

BZX85C3V6_T50R 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C3V6_T50A 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C3V6 R0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 BZX85C3V6 A0G 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 BZX85C3V6 功能描述:Zener Diode 3.6V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C3V9-TR BZX85C43 BZX85C43 A0G BZX85C43 R0G BZX85C43_T50A BZX85C43_T50R BZX85C43-TAP BZX85C43-TR BZX85C47 BZX85C47 A0G BZX85C47 R0G BZX85C47_T50A BZX85C47_T50R BZX85C47-TAP BZX85C47-TR BZX85C4V3 BZX85C4V3 A0G BZX85C4V3 R0G