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BZX84B12LT1GOSCT

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BZX84B12LT1GOSCT 技術參數

BZX84B12LT1G 功能描述:Zener Diode 12V 225mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:225mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 BZX84B12-HE3-18 功能描述:Zener Diode 12V 300mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BZX84B12-HE3-08 功能描述:Zener Diode 12V 300mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BZX84B12-G3-18 功能描述:Zener Diode 12V 300mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BZX84B12-G3-08 功能描述:Zener Diode 12V 300mW ±2% Surface Mount SOT-23-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:300mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BZX84B13-G3-18 BZX84B13-HE3-08 BZX84B13-HE3-18 BZX84-B15,215 BZX84-B15,235 BZX84-B15/DG/B3,21 BZX84-B15/LF1R BZX84-B15/LF1VL BZX84B15-7-F BZX84B15-E3-08 BZX84B15-E3-18 BZX84B15-G3-08 BZX84B15-G3-18 BZX84B15-HE3-08 BZX84B15-HE3-18 BZX84B15LT1G BZX84B15-TP BZX84-B16,215