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BZX79C18TA2

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BZX79C18TA2 技術參數

BZX79C18-T50A 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 基本零件編號:BZX79C18 標準包裝:1 BZX79C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C18_T50A 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX79-C18,143 功能描述:Zener Diode 18V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C18,133 功能描述:DIODE ZENER 18V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:45 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 12.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C18 標準包裝:1 BZX79C22 A0G BZX79-C22,113 BZX79-C22,133 BZX79-C22,143 BZX79C22_T50A BZX79C22_T50R BZX79C24 BZX79C24 A0G BZX79-C24,113 BZX79-C24,133 BZX79-C24,143 BZX79C24_T50A BZX79C24_T50R BZX79C24-T50A BZX79C27 BZX79C27 A0G BZX79-C27,113 BZX79-C27,133