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BZX79-C13.

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BZX79-C13. PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
DIODE ZENER 500MW 13V

BZX79-C13. 技術參數

BZX79-C13,143 功能描述:DIODE ZENER 13V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C13 標準包裝:1 BZX79-C13,133 功能描述:DIODE ZENER 13V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79-C13,113 功能描述:DIODE ZENER 13V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C13 標準包裝:1 BZX79C13 A0G 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C13 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C15_T50A BZX79C15_T50R BZX79C15-T50A BZX79C15-T50R BZX79C16 BZX79C16 A0G BZX79-C16,113 BZX79-C16,133 BZX79-C16,143 BZX79C16_T50A BZX79C16_T50R BZX79C16-T50A BZX79C18 BZX79C18 A0G BZX79-C18,113 BZX79-C18,133 BZX79-C18,143 BZX79C18_T50A