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BZX55C2.0V／TB

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BZX55C2.0V／TB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX55C2.0V／TB 技術參數

BZX55C18-TR 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C18-TAP 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C18_T50R 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C18_T50A 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C18 A0G 功能描述:DIODE ZENER 18V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C22_T26A BZX55C22_T50A BZX55C22_T50R BZX55C22-TAP BZX55C22-TR BZX55C24 BZX55C24 A0G BZX55C24_T50A BZX55C24_T50R BZX55C24-TAP BZX55C24-TR BZX55C27 BZX55C27 A0G BZX55C27-TAP BZX55C27-TR BZX55C2V0 A0G BZX55C2V2 A0G BZX55C2V4