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BZX55C12MVG

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BZX55C12MVG 技術(shù)參數(shù)

BZX55C12_T50R 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX55C12_T50A 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C12_T26A 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C12 A0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX55C12 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BZX55C15 A0G BZX55C15_T50A BZX55C15_T50R BZX55C15-TAP BZX55C15-TR BZX55C16 BZX55C16 A0G BZX55C16_T26A BZX55C16_T50A BZX55C16_T50R BZX55C16-TAP BZX55C16-TR BZX55C18 BZX55C18 A0G BZX55C18_T50A BZX55C18_T50R BZX55C18-TAP BZX55C18-TR

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