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BZV55B10/D2

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BZV55B10/D2 技術參數

BZV55-B10,115 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55-B10 標準包裝:1 BZV55B10 L1G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55B10 L0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV49-C9V1,115 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BZV49-C9V1 標準包裝:1 BZV49-C8V2,115 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 1W SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:700nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 50mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BZV49-C8V2 標準包裝:1 BZV55B13 L1G BZV55-B13,115 BZV55B15 L0G BZV55B15 L1G BZV55-B15,115 BZV55B16 L0G BZV55B16 L1G BZV55-B16,115 BZV55B18 L0G BZV55B18 L1G BZV55-B18,115 BZV55B20 L0G BZV55B20 L1G BZV55-B20,115 BZV55-B20,135 BZV55B22 L0G BZV55B22 L1G BZV55-B22,115