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BZT55C11-GSO8-11VVISHAY

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BZT55C11-GSO8-11VVISHAY 技術參數

BZT55C11-GS18 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C11-GS08 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55C11 L1G 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55C11 L0G 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55C10-GS18 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C15 L1G BZT55C15-GS08 BZT55C15-GS18 BZT55C16 L0G BZT55C16 L1G BZT55C16-GS08 BZT55C16-GS18 BZT55C18 L0G BZT55C18 L1G BZT55C18-GS08 BZT55C18-GS18 BZT55C20 L0G BZT55C20 L1G BZT55C20-GS08 BZT55C20-GS18 BZT55C22 L0G BZT55C22 L1G BZT55C22-GS08

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