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BZT12HSB

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制造商
SEMTECH_ELEC
制造商全稱
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZT12HSB 技術參數

BZT03D9V1-TR 功能描述:TVS DIODE 7.1VWM 13.7VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:7.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:8.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.7V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:22.7A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 標準包裝:5,000 BZT03D9V1-TAP 功能描述:TVS DIODE 7.1VWM 13.7VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:7.1V 電壓 - 擊穿（最小值）:8.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.7V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:22.7A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 標準包裝:5,000 BZT03D91-TR 功能描述:TVS DIODE 71VWM 130VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:71V 電壓 - 擊穿（最小值）:81.9V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:130V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:2.4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 標準包裝:5,000 BZT03D91-TAP 功能描述:TVS DIODE 71VWM 130VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:71V 電壓 - 擊穿（最小值）:81.9V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:130V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:2.4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 標準包裝:5,000 BZT03D8V2-TR 功能描述:TVS DIODE 6.5VWM 12.6VC SOD57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效類型:齊納單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態（典型值）:6.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:7.4V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24.4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無應用:通用不同頻率時的電容:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 標準包裝:5,000 BZT52B10-G3-18 BZT52B10-HE3-08 BZT52B10-HE3-18 BZT52B10JS-TP BZT52B10S RRG BZT52B10-TP BZT52B11 RHG BZT52B11-E3-08 BZT52B11-E3-18 BZT52B11-G RHG BZT52B11-G3-08 BZT52B11-G3-18 BZT52B11-HE3-08 BZT52B11-HE3-18 BZT52B11JS-TP BZT52B11S RRG BZT52B11-TP BZT52B12 RHG