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BYV29X-200

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BYV29X-200 技術參數

BYV29G-600PQ 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A I2PAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262）工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1,000 BYV29G-600,127 功能描述:Diode Standard 600V 9A Through Hole I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:50 BYV29FX-600,127 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.9V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 全封裝，隔離接片供應商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:BYV29-600 標準包裝:1,000 BYV29FD-600,118 功能描述:Diode Standard 600V 9A Surface Mount D-Pak 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:2,500 BYV29FB-600,118 功能描述:Diode Standard 600V 9A Surface Mount D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:9A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:800 BYV32-100-E3/45 BYV32-100HE3/45 BYV32-150801HE3/45 BYV32-150-E3/45 BYV32-150HE3/45 BYV32-200 BYV32-200-E3/45 BYV32-200G BYV32-200HE3/45 BYV32-50-E3/45 BYV32-50HE3/45 BYV32E-100,127 BYV32E-150,127 BYV32E-200,127 BYV32E-200PQ BYV32EB-200,118 BYV32EB-200PQ BYV32G-200,127