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BYV26CAP

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BYV26CAP 技術參數

BYV26B-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 1A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYV26B-TAP 功能描述:Diode Avalanche 400V 1A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV26A-TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 1A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV26A-TAP 功能描述:Diode Avalanche 200V 1A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV25X-600,127 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 全封裝，隔離接片供應商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:BYV25-600 標準包裝:1,000 BYV26EGP-E3/73 BYV26EGPHE3/54 BYV26EGPHE3/73 BYV26E-TAP BYV26E-TR BYV27-050-TAP BYV27-050-TR BYV27-100-TAP BYV27-100-TR BYV27-150-TAP BYV27-150-TR BYV27-200-TAP BYV27-200-TR BYV27-600-TAP BYV27-600-TR BYV28-050-TAP BYV28-050-TR BYV28-100-TAP