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BYV16/TFK

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BYV16/TFK 技術參數

BYV15-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV15-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV14-TR 功能描述:Diode Avalanche 600V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV14-TAP 功能描述:Diode Avalanche 600V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV13-TR 功能描述:Diode Avalanche 400V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYV25X-600,127 BYV26A-TAP BYV26A-TR BYV26B-TAP BYV26B-TR BYV26C-TAP BYV26C-TR BYV26DGP-E3/54 BYV26DGP-E3/73 BYV26DGPHE3/54 BYV26DGPHE3/73 BYV26D-TAP BYV26D-TR BYV26EGP-E3/54 BYV26EGP-E3/73 BYV26EGPHE3/54 BYV26EGPHE3/73 BYV26E-TAP