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BYT51B/TFK

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BYT51B/TFK 技術參數(shù)

BYT51A-TR 功能描述:Diode Avalanche 50V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT51A-TAP 功能描述:Diode Avalanche 50V 1.5A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYT30PI-400RG 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 30A DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DOP3I-2 絕緣（直引線）供應商器件封裝:DOP3I 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:30 BYT30PI-1000RG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 30A Through Hole DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:165ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DOP3I-2 絕緣（直引線）供應商器件封裝:DOP3I 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:600 BYT30PI-1000 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:165ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DOP3I-2 絕緣（直引線）供應商器件封裝:DOP3I 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:120 BYT51K-TR BYT51M-TAP BYT51M-TR BYT52A-TAP BYT52A-TR BYT52B-TAP BYT52B-TR BYT52D-TAP BYT52D-TR BYT52G-TAP BYT52G-TR BYT52J-TAP BYT52J-TR BYT52K-TAP BYT52K-TR BYT52M-TAP BYT52M-TR BYT53A-TAP

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