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BYT312

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BYT312 技術參數

BYT30PI-400RG 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 30A DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DOP3I-2 絕緣（直引線）供應商器件封裝:DOP3I 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:30 BYT30PI-1000RG 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 30A Through Hole DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:165ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DOP3I-2 絕緣（直引線）供應商器件封裝:DOP3I 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:600 BYT30PI-1000 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:165ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DOP3I-2 絕緣（直引線）供應商器件封裝:DOP3I 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:120 BYT30P-400 功能描述:Diode Standard 400V 30A Through Hole SOD-93-2 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:100ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-93-2 供應商器件封裝:SOD-93-2 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:300 BYT30P-1000 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 30A Through Hole SOD-93-2 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.9V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:165ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-93-2 供應商器件封裝:SOD-93-2 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:300 BYT51J-TR BYT51K-TAP BYT51K-TR BYT51M-TAP BYT51M-TR BYT52A-TAP BYT52A-TR BYT52B-TAP BYT52B-TR BYT52D-TAP BYT52D-TR BYT52G-TAP BYT52G-TR BYT52J-TAP BYT52J-TR BYT52K-TAP BYT52K-TR BYT52M-TAP