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BYM13-60-E3/51

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功能描述
肖特基二極管與整流器 1.0 Amp 60 Volt 30 Amp IFSM
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
產品
Schottky Diodes
峰值反向電壓
2 V
正向連續(xù)電流
50 mA
最大浪涌電流
配置
Crossover Quad
恢復時間
正向電壓下降
370 mV
最大反向漏泄電流
最大功率耗散
75 mW
工作溫度范圍
- 65 C to + 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-143
封裝
Reel

BYM13-60-E3/51 技術參數

BYM13-50HE3/97 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 BYM13-50HE3/96 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,500 BYM13-50-E3/97 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 BYM13-50-E3/96 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:80pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,500 BYM13-40HE3/97 功能描述:Diode Schottky 40V 1A Surface Mount DO-213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:110pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 BYM36A-TAP BYM36B-TAP BYM36C-TAP BYM36D-TAP BYM36E-TAP BYM36E-TR BYM600A170DN2HOSA1 BYNT1614 BYNT2216 BYQ28E-100-E3/45 BYQ28E-100HE3/45 BYQ28E-150-E3/45 BYQ28E-150HE3/45 BYQ28E-200,127 BYQ28E-200/H,127 BYQ28E-200E,127 BYQ28E-200-E3/45 BYQ28E-200HE3/45