亚洲国产日韩av_精品久久久久久无码中文野结衣_日韩一区视频在线_亚洲视频狠狠_丝袜国产在线_毛片在线免费播放_中文字幕1区2区_亚洲国产综合自拍_在线中文字幕日韩_不卡的av在线播放

<blockquote id="cuas4"></blockquote>

<del id="cuas4"></del>

<li id="cuas4"></li>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BUZ31H3045A

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BUZ31H3045A
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
25
INFINEON
con
24+
-
晶體管

BUZ31H3045A
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
25
INFINEON
con
24+
-
晶體管

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： BUZ31H3046XKSA1 BUZ31HXKSA1 BUZ31L BUZ31L E3044A BUZ31L H BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1

BUZ31H3045A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUZ31H3045A PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述

BUZ31H3045A 技術參數

BUZ31 H3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:PG-TO263-3 標準包裝:1 BUZ31 E3046 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO-220-3 標準包裝:500 BUZ31 E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263 標準包裝:1,000 BUZ31 功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1120pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ30AHXKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1900pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 13.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:PG-TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:500 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW