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BUZ101L/S

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BUZ101L/S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUZ101L/S 技術參數

BUZ10 功能描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUY69A 功能描述:TRANS NPN 400V 10A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3.3V @ 2.5A，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 2.5A，10V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:TO-204AA，TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 BUXD87T4 功能描述:TRANS NPN 450V 0.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 20mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:12 @ 40mA，5V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 BUX98APW 功能描述:TRANS NPN 450V 24A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:24A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 3.2A，16A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 BUX98A 功能描述:TRANS NPN 450V 30A TO-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:5V @ 5A，24A 電流 - 集電極截止（最大值）:2mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:250W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 BUZ31 E3045A BUZ31 E3046 BUZ31 H3045A BUZ31H3046XKSA1 BUZ31HXKSA1 BUZ31L BUZ31L E3044A BUZ31L H BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL