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BUK9Y40-55B/C1

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BUK9Y40-55B/C1
優勢
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
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授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

BUK9Y40-55B/C1
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
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22+
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全新原裝現貨供應

BUK9Y40-55B/C1
深圳市澤芯微科技有限公司
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聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
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sot669
2014
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進口原裝現貨，一定自己庫存

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BUK9Y40-55B/C1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK9Y40-55B/C1 技術參數

BUK9Y40-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1020pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:59W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y3R5-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5137pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 BUK9Y3R0-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5962pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:194W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y38-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2541pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:94.9W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y30-75B/C2,115 功能描述:MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2070pF @ 25V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 15A，10V 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1,500 BUK9Y72-80E,115 BUK9Y7R2-60E,115 BUK9Y7R6-40E,115 BUK9Y7R8-80E,115 BUK9Y8R5-80EX BUK9Y8R7-60E,115 BUK9Y98-80E,115 BUK9Y9R9-80E,115 BU-L0000-375 BU-L0000-375TIN BU-L0000-500TIN BU-L000-500TIN BU-L00-375 BU-L00-375TIN BU-L00-500TIN BU-L0-375 BU-L0-375TIN BU-L0-500TIN