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BUK7215-55A/T3

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BUK7215-55A/T3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK7215-55A/T3 技術參數

BUK7215-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 55A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:55A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2107pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:115W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK72150-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 11A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:322pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:36W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK7214-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 70A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:41nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2612pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK7213-40A,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 55A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:55A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2245pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:2,500 BUK7212-55B,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2453pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:167W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 185°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK724R5-30C,118 BUK725R0-40C,118 BUK7275-100A,118 BUK7277-55A,118 BUK7504-40A,127 BUK7505-30A,127 BUK7506-55A,127 BUK7506-55B,127 BUK7506-75B,127 BUK7507-30B,127 BUK7507-55B,127 BUK7508-40B,127 BUK7508-55A,127 BUK7509-55A,127 BUK7509-75A,127 BUK7510-100B,127 BUK7510-55AL,127 BUK7511-55A,127