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BSTR63H200

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BSTR63H200
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
SIEMENS
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

BSTR63H200
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
SIEMENS
MODULE
最新批號
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代理此型號，原裝正品現貨！！

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BSTR63H200 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSTR63H200 技術參數

BST82,235 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 150mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BST82,215 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:830mW（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 150mA，5V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BST72A,112 功能描述:MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 150mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BST62-70TA 功能描述:TRANS PNP DARL 72V 0.5A SOT89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:72V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1,000 BST62,115 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.3V @ 500μA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BST62 標準包裝:1 BSTS-27X4 BSTS-27X4/CL/NM BSTS-35X25/FR/NM BSTS-45X25/FR/NM BSTS-45X4 BSU-10BFFM-SL7A01 BSU-10BFFM-SL7A02 BSU-10BFFM-SL7A05 BSU-10BFFM-SL7A10 BSU-10BFFM-SR6A01 BSU-10BFFM-SR6A02 BSU-10BFFM-SR6A05 BSU-10BFFM-SR6A10 BSV10L BSV10Q BSV10X-D BSV10X-E BSV10X-L