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BSS7728NIN 技術(shù)參數(shù)

BSS7728NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS7728NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS7728N 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS670S2LL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:540mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 270mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 2.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.26nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:75pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS670S2LH6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327 BSS83PH6327XTSA1 BSS83PL6327HTSA1 BSS84 BSS84,215 BSS84_D87Z BSS8402DW-7 BSS8402DW-7-F BSS8402DWQ-7 BSS84-7 BSS84-7-F BSS84AK,215 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115

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