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BSS12LT1G

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BSS12LT1G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
2100
ON
ROHS
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨庫存！400-800-030...

BSS12LT1G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6550
ON
SOT-23
201311+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

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BSS12LT1G 技術(shù)參數(shù)

BSS127SSN-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.08nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS127S-7 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.08nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21.8pF @ 25V 功率 - 最大值:610mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS127L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS127H6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS127H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:28pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 16mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS138-7-F BSS138AKA/LF1R BSS138AKAR BSS138BK,215 BSS138BKS,115 BSS138BKVL BSS138BKW,115 BSS138BKW-BX BSS138-D87Z BSS138DW-7 BSS138DW-7-F BSS138DWQ-13 BSS138DWQ-7 BSS138-F085 BSS138K BSS138L BSS138LT1 BSS138LT1G

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