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BSO303SPHXT

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO

BSO303SPHXT 技術(shù)參數(shù)

BSO303PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1761pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:P-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BSO303PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:49nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2678pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO303P H 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:49nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2678pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO301SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:136nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5890pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO301SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12.6A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:136nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:5890pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.79W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 14.9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327

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