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BSM600GA120DLC

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSM600GA120DLC
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
SIEMENS
模塊
08+/09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSM600GA120DLC
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
EUPEC
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSM600GA120DLC
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業(yè)執(zhí)照
4503
EUPEC
MODULE
1219+
-
原裝現(xiàn)貨/特價

BSM600GA120DLC
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
2520
INF
原廠標準封裝
n/a
-
原裝現(xiàn)貨特價，停產偏冷優(yōu)勢供應！數(shù)量需確...

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功能描述
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 900A
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
產品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
230 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作溫度
+ 125 C
封裝 / 箱體
34MM
封裝

BSM600GA120DLC 技術參數(shù)

BSM50GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM50GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 50A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:10 BSM50GD120DN2G 功能描述:IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:- 配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:78A 功率 - 最大值:400W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:33nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM50GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 75A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM50GB170DN2HOSA1 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 72A 500W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):上次購買時間 IGBT 類型:- 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C BSN14-E BSN14-M BSN18-3K BSN18-C BSN18-E