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BSM50GB170DN2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSM50GB170DN2
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
歐派克
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSM50GB170DN2
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
EUPEC
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSM50GB170DN2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Infineon
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

BSM50GB170DN2
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
S94X34-7L
25+
-
國產品牌，替代進口

BSM50GB170DN2
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
INFINEO
主營模塊
22+
-
全新原裝現貨供應

BSM50GB170DN2
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
170
EUPEC
50A/1700V/IGBT/2U
2025+
-
全新現貨價格優勢

1/2頁 40條/頁共52條
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您是不是要找： BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1

BSM50GB170DN2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSM50GB170DN2 PDF下載

功能描述
IGBT 模塊 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
產品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
1.95 V
在25 C的連續集電極電流
230 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作溫度
+ 125 C
封裝 / 箱體
34MM
封裝

BSM50GB170DN2 技術參數

BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:* 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，35A 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:4 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C