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BSM150GAL120DN11,BSM214A

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BSM150GAL120DN11,BSM214A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSM150GAL120DN11,BSM214A 技術參數

BSM120D12P2C005 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 22mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 10V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:12 BSM100GB60DLCHOSA1 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM100GB60DLC 功能描述:IGBT MODULE 600V 130A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:130A 功率 - 最大值:445W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:10 BSM080D12P2C008 功能描述:SIC POWER MODULE-1200V-80A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 13.2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 10V 功率 - 最大值:600W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:模塊標準包裝:1 BSM-015G-LF 功能描述:Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 79.5 mV (3V) 8-CLCC 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態:過期壓力類型:排氣式壓力計工作壓力:15 PSI（103.42 kPa）輸出類型:模擬電壓輸出:0 mV ~ 79.5 mV（3V）精度:±2% 電壓 - 電源:6V 端口尺寸:- 端口樣式:無端口特性:- 端子類型:表面貼裝型最高壓力:45 PSI（310.26 kPa）工作溫度:-25°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-CLCC 供應商器件封裝:8-LCC 標準包裝:1 BSM2-X BSM300D12P2E001 BSM30GD60DLCE3224 BSM35GD120DN2 BSM35GP120 BSM35GP120BOSA1 BSM50GB170DN2HOSA1 BSM50GB60DLCHOSA1 BSM50GD120DN2G BSM50GP120 BSM50GP120BOSA1 BSM6-L BSM6-X BSM75GB170DN2HOSA1 BSM75GB60DLCHOSA1 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY

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